실리콘 코어 전압 강하 (Core Voltage Droop)
AI 연산 코어의 급격한 행렬 연산 부하 급변을 모의하여 다상(Multi-Phase) VRM의 폐루프 과도 응답 및 안정성을 검증합니다.
RUNNING모델 1: VRM 전압 드룹 및 순간 저전압 과도 파형di/dt = 1000 A/μs
CH1 (Core V): 100mV/divCH2 (Core I): 500A/divTB: 20µs/div
실리콘 레벨 전력 거동 해석 플랫폼
Silicon-Level
Power Behavior Platform
“전력 전자는 더 이상 정적인 전원 공급이 아닙니다. 실리콘 레벨의 결정론적 동적 거동입니다.”
0.2V–5000A VRM 과도 부하 에뮬레이션 | 80A/µs 워크로드 기반 동적 스트레스 부하 에뮬레이션
AI 칩 전원 무결성, VRM 전압 드룹, 고속 SiC/GaN 전력 전자부품 및 동적 EV 견인 배터리 특성을 재현하는 실리콘 레벨 전원 거동 검증 플랫폼입니다.
* 하드웨어 기반 동적 전력 자극 및 부하 에뮬레이션 플랫폼 (단순 시뮬레이션 소프트웨어가 아님)
RUNNINGFTG 고속 DSO 파형 캡처T'D: EDGE CH1
CH1 (Vcore): 200mV/divCH2 (I_load): 1000A/divTB: 50µs/div
극저전압
최저 0.2V까지 지원
초대전류
최대 20,000A
초고속 동적 응답
µs 단위 고속 응답
기존 계측 방식의 한계
기존 전자 부하가 최신 반도체 전력 검증에서 실패하는 이유
““정적 저항 부하는 정상 상태의 열 평형만을 검사할 뿐, 실제 데이터센터 가동 시 서버 셧다운과 반도체 소손을 일으키는 실리콘 레벨의 과도 현상을 완전히 놓치고 있습니다.””
기존 DC 전자 부하는 측정값을 밀리초 단위로 평균화합니다. AI 연산 코어가 100ns 내에 50A에서 1500A로 폭증할 때 전압 레귤레이터는 급격히 흔들리지만, 일반 계측기는 이 치명적인 전압 드룹을 전혀 감지하지 못합니다.
느린 샘플링 (과도 전압 강하 감지 불가)기존 전자 부하: 평활화된 왜곡 측정 곡선트리거: 대역폭 한계로 감지 실패
CH1 (V_droop): 200mV/divCH2 (I_step): 1000A/divTB: 100µs/div
기생 인덕턴스로 인한 과도 파형 왜곡
긴 배선과 내부 인덕턴스가 전류 상승 속도(di/dt)를 인위적으로 제한하여 VRM의 실제 보상 응답을 왜곡시킵니다.
서브 1V 대전류 흡수 불가
일반 부하는 최소 0.8V~1.2V 이상의 단자 전압이 필요하여, 0.6V 수준의 최신 AI 코어 전압에서는 테스트 전류를 흡수하지 못합니다.
하드웨어 동기화 DSO 부재
내장 오실로스코프가 없어 외장 프로브를 연결해야 하며, 이로 인해 신호 지연 및 위상 불일치 오차가 발생합니다.
계측 성능 비교
기존 범용 전자 부하 vs FaithTech 실리콘 거동 플랫폼
단순 평균 전류 측정과 마이크로초 단위 실리콘 동적 거동 재현 간의 기술적 격차를 확인하십시오.
기존 범용 전자 부하
평균 측정 방식- 전류 상승률이 50~100 A/μs 수준으로 제한됨
- 최저 동작 전압이 0.8V 이상으로 최신 GPU 시험 불가
- 평활화된 측정으로 치명적인 전압 드룹 현상 은폐
- 실제 데이터센터 운영 환경에서 원인 불명의 서버 다운 유발
동적 응답 대역폭 부족일반 전자 부하: 왜곡된 완만한 전류 파형T'D: EDGE CH1
Vcore: 100mV/divI_load: 500A/divTB: 50µs/div
FaithTech 실리콘 거동 플랫폼
결정론적 거동 재현- 실제 1000 A/μs 초고속 전류 상승/하강 슬루율 구현
- 0.2V 극저전압에서도 정격 대전류 100% 흡수 보장
- 1 MS/s 하드웨어 내장 DSO로 나노초 단위 글리치 포착
- 칩 양산 전 실제 AI 워크로드를 하드웨어로 선행 검증
실시간 과도 상태 캡처 완료FaithTech DSO: 나노초 서브 1V 전압 드룹 완벽 포착T'D: EDGE CH1
Vcore: 100mV/divI_load: 500A/divTB: 50µs/div
물리적 전력 거동 모델
3가지 핵심 물리 전력 현상의 정밀 수학적 에뮬레이션
실리콘 반도체와 전원 공급 시스템 간의 복합적인 동적 상호작용을 정밀하게 모의합니다.
SiC/GaN 나노초 스위칭 거동
와이드 밴드갭 스위칭 소자의 기생 공진, 링잉 노이즈 및 드레인-소스 전압(Vds) 피크 서지를 정밀 캡처합니다.
RUNNING모델 2: GaN/SiC 고주파 오버슈트 및 링잉 파형dv/dt > 50 V/ns
V_ds: 100V/divI_ds: 5A/divTB: 10ns/div
전기차 트랙션 회생 제동 및 DC 버스 충격
800V 고전압 전기차 인버터의 급제동 에너지 회생 펄스와 부하 차단을 전력망 회생 방식으로 안전하게 시뮬레이션합니다.
RUNNING모델 3: 고전압 DC 버스 회생 서지 전압 파형회생 모드: 95% 전력망 복귀
V_bus: 200V/divI_grid: 100A/divTB: 10ms/div
초고속 동적 거동 엔진
타협 없는 시험 정밀도를 위한 핵심 하드웨어 및 소프트웨어 아키텍처
독자적인 파워 토폴로지, 극저인덕턴스 버스바 및 FPGA 실시간 프로세싱의 완벽한 조화.
Zero-Volt 부스트 파워 토폴로지
프로세서 소켓 단자에서 0.2V 미만의 극저전압 상태로 2000A 이상의 대전류를 연속 흡수합니다.
하드웨어 일체형 1 MS/s 디지털 오실로스코프 (DSO)
외장 프로브의 감쇠나 위상 지연 없이 전압과 전류 파형을 나노초 단위로 완벽하게 동기화 수집합니다.
극저인덕턴스 동축 버스바 구조
특수 동축 도체 설계를 통해 잔류 기생 인덕턴스를 5nH 미만으로 억제하여 고속 슬루율을 보장합니다.
결정론적 FPGA 실시간 제어 인터페이스
10μs 미만의 극저지연 HIL 시뮬레이션 통신을 통해 복잡한 프로세서 작동 시나리오를 실시간 연동합니다.
실험실에 구축된 FaithTech 초고속 동적 거동 엔진
핵심 적용 분야
가장 도전적인 반도체 및 차세대 모빌리티 프로젝트를 위한 검증 플랫폼
일반적인 DC 전원 및 전자 부하가 물리적 한계에 부딪히는 3대 전문 영역.
AI 가속기 및 고성능 서버 VRM 검증
1000A 이상을 소모하는 AI 칩셋 전원부의 과도 안정성, 위상 간 전류 밸런싱 및 변환 효율을 정밀 검증합니다.
와이드 밴드갭(SiC/GaN) 전력 소자 특성 분석
극단적인 전압/전류 슬루율 환경에서 스위칭 손실, 동적 온-저항(Rds-on) 및 열적 안정성을 평가합니다.
전기차 트랙션 인버터 및 800V 배터리 모의
배터리 셀 내부 저항, 노화 특성 및 급격한 제동 회생 에너지를 비파괴 환경에서 사실적으로 에뮬레이션합니다.
통합 아키텍처
조율된 Source-Load 에뮬레이션 아키텍처
FaithTech는 실제와 같은 과도 상태 시험을 위해 동기 제어 기반의 전원 + 부하 분리형 아키텍처를 제공합니다.
계층 03
제어 및 분석협조 제어 및 물리 매핑 계층 (소프트웨어 정의)
협조 테스트 프로파일, 과도 부하 생성 및 자동 리포트 발행 (결정론적 하드웨어 실행).
계층 02
파워 엔진 계층 (FTG 협조형 DC 전원)
최대 1500V 출력 및 kW에서 MW까지 확장 가능한 고동적 전력 인가.
핵심 사양 (예시)
기술 사양
전압 범위
10 V – 1500 V
전류 범위
최대 20,000 A
시스템 출력
캐비닛당 최대 600 kW
동적 응답 속도
< 20 µs 과도 응답
전압 정확도
±0.05% F.S.
전류 정확도
±0.1% F.S.
통신 인터페이스
Ethernet / CAN / 아날로그
글로벌 혁신 선도 기업이 신뢰하는 솔루션
글로벌 AI 서버 OEM
세계 선도 반도체 연구소
자동차 Tier 1 전장 부품사
국책 전력 전자 연구기관
결정론적 거동 에뮬레이션
전력 시험의 수준을 실리콘 레벨로 끌어올리십시오
차세대 AI 및 고출력 전력 시스템은 킬로암페어(kA) 단위의 정밀 부하 검증을 요구합니다. 고객 연구소에 최적화된 과도 전력 시뮬레이션 모델을 요청하십시오.